摘 要： GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为宽禁带功率半导体器件的代表，在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能，适用于各种高频、高功率器件，并被广泛应用于（试读）...
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