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基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究-现代电子技术2024年04期

基于恒流源的增强型GaN动态导通电阻特性研究

作者:周子牛 敬成 鲁金科 赵浩 字体:      

摘  要: 动态导通电阻现象会导致GaN器件导通电阻增加,不仅会增大器件通态损耗,还会使器件温升更加显著,是限制GaN器件在高频度变换器中应用的重要因素之一。针对该现象,设计一种基于高速脉冲恒流源的动态导(试读)...

现代电子技术

2024年第04期